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 SOULBRAIN / CVD & Doping Materials |
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◆특징 ▷CVD Process는 열, Plasma 등의 에너지를 부가하여 박막을 증착시키는 방식으로, 기체분자를 반응시켜 웨이퍼 표면 위에 실리콘이나, 실리콘 nitride막, PSG, BPSG, SiO2 등의 박막을 형성시키는 공정입니다. ▷Dopant는 반도체가 고집접화되면서 층간의 단차를 줄이기 위해 사용되는 Reflow, Etch Back, CMP 등의 planarization 기술중 Reflow 기술을 위해 사용되며, Reflow 기술중의 주요 Mechanism은 B, P 등의 Dopant Source를 SiO2에 첨가하여 Melting Point를 Down시켜 Reflow Temp를 낮추는 목적으로 적용됩니다. ◆사양 ▷충진용량 문의 ▷충진 용기 : Canister & Quartz Bubbler |
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SOULBRAIN / Electrolyte of Lithium Secondary Battery |
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◆특징 ▷리틈 2차 전자용 비수전해액(Non-aqueous Electrolytes)은 고유전율/고점도의 유기용매, 저점도의 유기용매 및 리튬염으로 구성되어 있으며, 전지 성능 향상을 위해 다양한 첨가재를 사용하고 있습니다. ◆사양 ▷적용 : Notebook PC, Moble Phone, Portable Device |
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STRIPPER / Epoxy Resin Remover |
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◆특징 ▷반도체 및 Display Packaging공정 중 ip 또는 Wafer와 Package의 분리 재생용 Epoxy Resin용해제로 사용됩니다. ▷Epoxy제거 속도가 타 용제에 비해 우수합니다. ▷분리재생 시 Chip과 Package에 영향을 미치지 않습니다. ▷분리후 잔사가 없고 수세 시 wetting성이 뛰어납니다. ▷LCD, 수정진동자, LED, OELD 등에 모두 적용가능합니다. ◆사양 ▷농도 : 원액 ▷적용온도 : 50 ~ 70 ℃ ▷적용방법 : 침적, 침적초음파 ◆적용 ▷Semiconductor, PDP, LCD, 유기 EL 등
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STRIPPER / Photo Resist Stripper |
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STRIPPER / Photo Resist Stripper |
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◆특징 ▷반도체 및 Display FAB공정용 NMP Type의 PR Stripper로 사용됩니다. ▷PR 제거 속도가 타 용제에 비해 우수합니다. ▷PR 제거 후 잔사가 없고 수세 시 wetting성이 뛰어납니다. ▷소자(Si & GaAs & L/T & L/N wafer, sodalime Glass 등)에 영향을 미치지 않습니다. ▷Metal 증착층(Ni, Au, Ti, Al, ITO, Cr 등)에 영향을 미치지 않습니다. ◆사양 ▷농도 : 원액 ▷적용온도 : 50 ~ 70 ℃ ▷적용방법 : 침적, 침적초음파 ◆적용 ▷Semiconductor, PDP, LCD, 유기 EL 등 |
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