▷기존의 할로겐 용제에 비해 친환경적입니다.
▷세정 후 린스성이 우수하며 잔사분이 남지않습니다.
▷기존의 용제에 비해 2배 이상의 우수한 세정효율을 나타냅니다.

◆사양
▷농도 : 원액 사용
▷적용온도 : 40 ~ 70 ℃
▷적용방법 : 침적, 침적초음파

◆적용
▷Semiconductor, PDP, LCD,유기 EL 등

◆특징

▷반도체 및 Display FAB공정용 NMP Type의 PR Stripper로 사용됩니다.

▷PR 제거 속도가 타 용제에 비해 우수합니다.

▷PR 제거 후 잔사가 없고 수세 시 wetting성이 뛰어납니다.

▷소자(Si & GaAs & L/T & L/N wafer, sodalime Glass 등)에 영향을 미치지 않습니다.

▷Metal 증착층(Ni, Au, Ti, Al, ITO, Cr 등)에 영향을 미치지 않습니다.

◆사양

▷농도 : 원액

▷적용온도 : 50 ~ 70 ℃

▷적용방법 : 침적, 침적초음파

◆적용

▷Semiconductor, PDP, LCD, 유기 EL 등 

◆특징

▷반도체 공정 중 PR(Photo Resist)의 Strip 공정에 사용되는 수지용해제입니다.

▷Etching 후 표면조도를 변화시키지 않고 PR막을 제거하여 Al전극막의 패턴을 형성시키는 기능이 뛰어납니다.

▷할로겐 용제와 같이 환경문제를 일으키지 아니하며 수지 제거 시 뛰어난 용해기능을 나타냅니다.

▷특히 수지용해 후의 수세 공정 시에 잔사분의 세정력이 뛰어날 뿐만 아니라 타 용제에 비해 2 ~ 3배 이상의 세정효율을 높일 수 있습니다.
▷PR 제거 후 잔사분이 남지 않으며, 수세 시 wetting성이 뛰어납니다.

▷소자(Si wafer, GaAs wafer, Sodalime glass 등)에 손상이 없습니다.

▷Metal 증착층(Ni, Au, Al, Ti, ITO, Cr)에 손상이 없습니다.

▷Positive 및 negative type PR 모두 제거 가능합니다.

▷Lift off용 PR Stripper로도 사용이 가능합니다.

◆사양

▷적용 방법

◆특징

▷​MINS-ERM

수백 나노미터에서 수십 마이크로미터 수준의 미세 패턴의 역상을 제작하거나 pattern의 수축,변형 없이 자기복제를 수행하기에 적합하다. 표면에너지가 매우 낮은 특성이 있으며 이형이 어려운 표면에서도 쉽게 이형이 가능하여 1회성 형뜨기 재료로 주로 이용된다. UVA 파장대에서 경화되는 UV 경화성 재료이다.

▷​MINS-311RM

UV imprint용 stamp 제조 원료, 자기 복제가 가능하고 UV imprint 공정시 원활한 이형성 및 패턴 전사성을 보인다. 수십 마이크로미터 이하의 패턴높이에서 안정적인 성능을 나타낸다. UVA 파장대에서 경화되는 UV 경화성 재료이다.​

◆사양 

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