▷H-SiQ is characterized by excellent pitch resolution, sensitivity and etch resistance for
direct write thin film EBL applications.
▷DisChem H-SiQ is a negative tone hydrogen silesquioxane resist derived from dry silica
resin (H-SiOx) in MIBK carrier solvent for use in electron beam lithography (EBL).
▷Thickness: 25 nm - 800 nm
DC-HSIQ6%
H-SiQ 6%
50ml
3,550,000(VAT별도)
DONGJIN CHEM / Etchant
◆특징 ▷TFT-LCD 및 Display panel의 metal 배선을 형성하는데 적용되는 Chemical 입니다. ▷Source and Drain, Gate, Pixel의 다양한 금속배선에 적용되며 Pattern에 사용되는 다양한 Metal의 종류에 적합한 Etchant 입니다.
DJ-3000-01
DME-300 Ga/bt
Mo Etchant, 포장단위：Ga/bt
견적 문의
DONGWOO FINE CHEM / Etchant
◆특징 ▷TFT-LCD 및 Display panel의 metal 배선을 형성하는데 적용되는 Chemical 입니다. ▷Source and Drain, Gate, Pixel의 다양한 금속배선에 적용되며 Pattern에 사용되는 다양한 Metal의 종류에 적합한 Etchant 입니다. ▷HCl Type
DW-2100-02
MA-S02
ITO Etchant, 포장단위：20L/bt
견적 문의
DONGWOO FINE CHEM / Photoresist
◆특징 ▷ 반도체용 PR(감광액)
CT-5500-01
PFI-DW38A9
Photoresist(i-line PR), 포장단위：Ga/bt, 유효기간：1년
980,000(VAT별도)
DOW / Advanced Electronics Resin(Photo BCB) * CYCLOTENE 3000 Series
◆특징
▷ Etchable in oxygen/fluorine plasmas (O2/CF4, O2/SF6, O2/NF3) Laser etchable
Planarization — ca. 90% over isolated features (< 100µm)
DisChem / Photo & E-beam Resist
